L'emploi des composants de puissance à semiconducteur grand gap dans les modules de puissance est un défi pour le système d'isolation électrique des modules de puissance. Plus particulièrement, une zone appelée « point triple », située à la jonction entre trois matériaux (substrat / métallisation / encapsulation), est sujette à de forts champs électriques. Des solutions pour contenir cette contrainte sont proposées dans la littérature le plus souvent par action sur l'encapsulant. La solution étudiée ici repose sur un profilage particulier de la céramique, en forme de plateau (mesa). La structure a été mise en œuvre par un usinage ultrason. Les résultats présentés montrent une amélioration significative du seuil de tension d'apparition de décharges partielles.