Formation and annealing behavior of an amorphous layer induced by tin implantation into sapphire - Université des Antilles Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Surface and Coatings Technology Année : 1992

Formation and annealing behavior of an amorphous layer induced by tin implantation into sapphire

Laurence Romana
Groupe de Technologie des Surfaces et Interfaces [URp2_2]
P.S. Sklad
  • Fonction : Auteur
C.W. White
  • Fonction : Auteur
J.C. Mccallum
  • Fonction : Auteur
A. Choudhury
  • Fonction : Auteur
L.L. Horton
  • Fonction : Auteur
C.J. Mchargue
  • Fonction : Auteur

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Sciences de l'ingénieur [physics] Physique [physics]

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Soumis le : mardi 16 janvier 2018-17:09:26

Dernière modification le : jeudi 9 mars 2023-15:05:38

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Dates et versions

hal-01685811 , version 1 (16-01-2018)

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Citer

Laurence Romana, P.S. Sklad, C.W. White, J.C. Mccallum, A. Choudhury, et al.. Formation and annealing behavior of an amorphous layer induced by tin implantation into sapphire. Surface and Coatings Technology, 1992, 51 (1-3), pp.415 - 419. ⟨10.1016/0257-8972(92)90274-E⟩. ⟨hal-01685811⟩

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